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IRF200P223

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-247-3

描述：MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC

6062 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF200P223，现有足量库存。IRF200P223的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供IRF200P223数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRF200P223的详细使用方法及教程。

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IRF200P223产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IRF200P223
描述 MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
制造商 Infineon Technologies
库存 6062
系列 StrongIRFET™
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 11.5 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 102 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5094 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 313W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247AC
封装/外壳 TO-247-3

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