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IXFA3N120

制造商：IXYS

封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 1200V 3A TO263

7677 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXFA3N120，现有足量库存。IXFA3N120的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供IXFA3N120数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXFA3N120的详细使用方法及教程。

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IXFA3N120产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IXFA3N120
描述 MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
制造商 IXYS
库存 7677
系列 HiPerFET™
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.5 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 39 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1050 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 200W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-263AA（IXFA）
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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