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IXFN50N120SK

制造商：IXYS

封装外壳：SOT-227-4，miniBLOC

描述：SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B

7768 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXFN50N120SK，现有足量库存。IXFN50N120SK的封装/规格参数为:SOT-227-4，miniBLOC；同时斯普仑现货为您提供IXFN50N120SK数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXFN50N120SK的详细使用方法及教程。

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IXFN50N120SK产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IXFN50N120SK
描述 SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B
制造商 IXYS
库存 7768
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss） 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 52 毫欧 @ 40A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.8V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 115 nC @ 20 V
Vgs（最大值） +20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1895 pF @ 1000 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） -
工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SOT-227B
封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC

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