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制造商：Central Semiconductor Corp
封装外壳：SC-101，SOT-883
描述：MOSFET N-CH 60V 300MA SOT883L
斯普仑电子元件现货为您提供Central Semiconductor Corp设计生产的CEDM7002AE TR PBFREE，现有足量库存。CEDM7002AE TR PBFREE的封装/规格参数为:SC-101，SOT-883；同时斯普仑现货为您提供CEDM7002AE TR PBFREE数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CEDM7002AE TR PBFREE的详细使用方法及教程。
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| CEDM7002AE TR PBFREE产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | CEDM7002AE TR PBFREE |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT883L |
| 制造商 | Central Semiconductor Corp |
| 库存 | 5918 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | 20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 100mW（Ta） |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-883L |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
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