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CSD17585F5

制造商：Texas Instruments

封装外壳：3-SMD，无引线

描述：MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR

5634 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的CSD17585F5，现有足量库存。CSD17585F5的封装/规格参数为:3-SMD，无引线；同时斯普仑现货为您提供CSD17585F5数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CSD17585F5的详细使用方法及教程。

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CSD17585F5产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 CSD17585F5
描述 MOSFET N-CH 30V 5.9A 3PICOSTAR
制造商 Texas Instruments
库存 5634
系列 FemtoFET™
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 27 毫欧 @ 900mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 5.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值） 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 380 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 3-PICOSTAR
封装/外壳 3-SMD，无引线

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