SI1469DH-T1-BE3规格参数_si1469dh-t1-be3现货热销【斯普仑】

SI1469DH-T1-BE3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

描述：MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6

5406 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SI1469DH-T1-BE3，现有足量库存。SI1469DH-T1-BE3的封装/规格参数为:6-TSSOP，SC-88，SOT-363；同时斯普仑现货为您提供SI1469DH-T1-BE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SI1469DH-T1-BE3的详细使用方法及教程。

SI1469DH-T1-BE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SI1469DH-T1-BE3
描述	MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6
制造商	Vishay Siliconix
库存	5406
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3.2A（Ta），2.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	80 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	8.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	470 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.5W（Ta），2.78W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SC-70-6
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363

SI1469DH-T1-BE3

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