IPL60R650P6SATMA1规格参数_ipl60r650p6satma1现货热销【斯普仑】

IPL60R650P6SATMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK

2327 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPL60R650P6SATMA1，现有足量库存。IPL60R650P6SATMA1的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供IPL60R650P6SATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPL60R650P6SATMA1的详细使用方法及教程。

IPL60R650P6SATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPL60R650P6SATMA1
描述	MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK
制造商	Infineon Technologies
库存	2327
系列	CoolMOS™ P6
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	650 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	557 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	56.8W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-ThinPak（5x6）
封装/外壳	8-PowerTDFN

IPL60R650P6SATMA1

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