SIHU2N80AE-GE3规格参数_sihu2n80ae-ge3现货热销【斯普仑】

SIHU2N80AE-GE3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

描述：MOSFET N-CH 800V 2.9A TO251AA

1289 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SIHU2N80AE-GE3，现有足量库存。SIHU2N80AE-GE3的封装/规格参数为:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；同时斯普仑现货为您提供SIHU2N80AE-GE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SIHU2N80AE-GE3的详细使用方法及教程。

SIHU2N80AE-GE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SIHU2N80AE-GE3
描述	MOSFET N-CH 800V 2.9A TO251AA
制造商	Vishay Siliconix
库存	1289
系列	E
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.9 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	10.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	180 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	62.5W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-251AA
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

SIHU2N80AE-GE3

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