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DMN90H2D2HCTI

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片

描述：MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

5646 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMN90H2D2HCTI，现有足量库存。DMN90H2D2HCTI的封装/规格参数为:TO-220-3 全封装，隔离接片；同时斯普仑现货为您提供DMN90H2D2HCTI数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMN90H2D2HCTI的详细使用方法及教程。

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DMN90H2D2HCTI产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 DMN90H2D2HCTI
描述 MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB
制造商 Diodes Incorporated
库存 5646
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.2 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 20.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1487 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 40W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 ITO-220AB
封装/外壳 TO-220-3 全封装，隔离接片

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