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NTMJS1D5N04CLTWG

制造商：onsemi

封装外壳：SOT-1205，8-LFPAK56

描述：MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK

2327 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMJS1D5N04CLTWG，现有足量库存。NTMJS1D5N04CLTWG的封装/规格参数为:SOT-1205，8-LFPAK56；同时斯普仑现货为您提供NTMJS1D5N04CLTWG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTMJS1D5N04CLTWG的详细使用方法及教程。

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NTMJS1D5N04CLTWG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NTMJS1D5N04CLTWG
描述 MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
制造商 onsemi
库存 2327
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 38A（Ta），200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 70 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4300 pF @ 20 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），110W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-LFPAK
封装/外壳 SOT-1205，8-LFPAK56

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