NVMFSC0D9N04C规格参数_nvmfsc0d9n04c现货热销【斯普仑】

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 40V 48.9A/313A 8DFN

9187 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVMFSC0D9N04C，现有足量库存。NVMFSC0D9N04C的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供NVMFSC0D9N04C数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVMFSC0D9N04C的详细使用方法及教程。

NVMFSC0D9N04C产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NVMFSC0D9N04C
描述	MOSFET N-CH 40V 48.9A/313A 8DFN
制造商	onsemi
库存	9187
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	48.9A（Ta），313A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	0.87 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	86 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6100 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	4.1W（Ta），166W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFN（5x6.15）
封装/外壳	8-PowerVDFN