SCTWA35N65G2V规格参数_sctwa35n65g2v现货热销【斯普仑】

SCTWA35N65G2V

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-247-3

描述：TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247

5121 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的SCTWA35N65G2V，现有足量库存。SCTWA35N65G2V的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供SCTWA35N65G2V数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SCTWA35N65G2V的详细使用方法及教程。

SCTWA35N65G2V产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SCTWA35N65G2V
描述	TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
制造商	STMicroelectronics
库存	5121
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	18V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	72毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	73 nC @ 20 V
Vgs（最大值）	+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	73000 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	208W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247 长引线
封装/外壳	TO-247-3

SCTWA35N65G2V

猜您喜欢

G15

E3M0065090D

C2M0080170P

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S080B

CPM2-1200-0160B

CPM2-1200-0080B

BUK7Y25-80E/GFX

BUK7Y25-80E/CX

PSMN7R6-60XSQ

BUK761R5-40EJ

PSMN8R5-108ESQ

PSMN3R9-60XSQ

BUK9C1R3-40EJ

BUK951R8-40EQ

PMT760EN,115

PMT200EN,115

BUK9C5R3-100EJ

BUK9C3R8-80EJ

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”

热门类目

关于斯普仑

帮助中心