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GA10JT12-263

制造商：GeneSiC Semiconductor

封装外壳：-

描述：TRANS SJT 1200V 25A

5709 现货

斯普仑电子元件现货为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的GA10JT12-263，现有足量库存。GA10JT12-263的封装/规格参数为:-；同时斯普仑现货为您提供GA10JT12-263数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有GA10JT12-263的详细使用方法及教程。

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GA10JT12-263产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 GA10JT12-263
描述 TRANS SJT 1200V 25A
制造商 GeneSiC Semiconductor
库存 5709
系列 -
包装 管件
FET 类型 -
技术 SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss） 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 120 毫欧 @ 10A
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） -
Vgs（最大值） -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1403 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 170W（Tc）
工作温度 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 -
封装/外壳 -

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