SCT2160KEGC11规格参数_sct2160kegc11现货热销【斯普仑】

SCT2160KEGC11

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：TO-247-3

描述：1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE

4377 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的SCT2160KEGC11，现有足量库存。SCT2160KEGC11的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供SCT2160KEGC11数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SCT2160KEGC11的详细使用方法及教程。

SCT2160KEGC11产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SCT2160KEGC11
描述	1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
制造商	Rohm Semiconductor
库存	4377
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	208 毫欧 @ 7A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	62 nC @ 18 V
Vgs（最大值）	+22V，-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1200 pF @ 800 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	165W（Tc）
工作温度	175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247N
封装/外壳	TO-247-3

SCT2160KEGC11

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