PJQ1902_R1_00001规格参数_pjq1902_r1_00001现货热销【斯普仑】

PJQ1902_R1_00001

制造商：Panjit International Inc.

封装外壳：3-UFDFN

描述：30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

4931 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Panjit International Inc.设计生产的PJQ1902_R1_00001，现有足量库存。PJQ1902_R1_00001的封装/规格参数为:3-UFDFN；同时斯普仑现货为您提供PJQ1902_R1_00001数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PJQ1902_R1_00001的详细使用方法及教程。

PJQ1902_R1_00001产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PJQ1902_R1_00001
描述	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
制造商	Panjit International Inc.
库存	4931
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	500mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	0.87 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	34 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	700mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	3-DFN（0.6x1）
封装/外壳	3-UFDFN

PJQ1902_R1_00001

猜您喜欢

G15

E3M0065090D

C2M0080170P

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S080B

CPM2-1200-0160B

CPM2-1200-0080B

BUK7Y25-80E/GFX

BUK7Y25-80E/CX

PSMN7R6-60XSQ

BUK761R5-40EJ

PSMN8R5-108ESQ

PSMN3R9-60XSQ

BUK9C1R3-40EJ

BUK951R8-40EQ

PMT760EN,115

PMT200EN,115

BUK9C5R3-100EJ

BUK9C3R8-80EJ

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”

热门类目

关于斯普仑

帮助中心