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DMP2100UQ-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

3604 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP2100UQ-7，现有足量库存。DMP2100UQ-7的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供DMP2100UQ-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMP2100UQ-7的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP2100UQ-7，现有足量库存。DMP2100UQ-7的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供DMP2100UQ-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMP2100UQ-7的详细使用方法及教程。

DMP2100UQ-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 DMP2100UQ-7
描述 MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
制造商 Diodes Incorporated
库存 3604
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带（TR）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 38 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9.1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 216 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 800mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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