NVTFS6H880NTAG规格参数_nvtfs6h880ntag现货热销【斯普仑】

NVTFS6H880NTAG

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN

8497 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVTFS6H880NTAG，现有足量库存。NVTFS6H880NTAG的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供NVTFS6H880NTAG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVTFS6H880NTAG的详细使用方法及教程。

NVTFS6H880NTAG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NVTFS6H880NTAG
描述	MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
制造商	onsemi
库存	8497
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6.3A（Ta），21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	32 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	6.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	370 pF @ 40 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.1W（Ta），31W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerWDFN

NVTFS6H880NTAG

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