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RDR005N25TL

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：SC-96

描述：MOSFET N-CH 250V 500MA TSMT3

8869 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RDR005N25TL，现有足量库存。RDR005N25TL的封装/规格参数为:SC-96；同时斯普仑现货为您提供RDR005N25TL数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RDR005N25TL的详细使用方法及教程。

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RDR005N25TL产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 RDR005N25TL
描述 MOSFET N-CH 250V 500MA TSMT3
制造商 Rohm Semiconductor
库存 8869
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 500mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 8.8 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 3.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 70 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 540mW（Ta）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TSMT3
封装/外壳 SC-96

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