DMPH4029LFGQ-7规格参数_dmph4029lfgq-7现货热销【斯普仑】

DMPH4029LFGQ-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333

2873 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMPH4029LFGQ-7，现有足量库存。DMPH4029LFGQ-7的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供DMPH4029LFGQ-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMPH4029LFGQ-7的详细使用方法及教程。

DMPH4029LFGQ-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMPH4029LFGQ-7
描述	MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
制造商	Diodes Incorporated
库存	2873
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	8A（Ta），22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	29mOhm @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1626 pF @ 20 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.2W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerDI3333-8
封装/外壳	8-PowerVDFN

DMPH4029LFGQ-7

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