NTTFS015P03P8ZTAG规格参数_nttfs015p03p8ztag现货热销【斯普仑】

NTTFS015P03P8ZTAG

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN

2406 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTTFS015P03P8ZTAG，现有足量库存。NTTFS015P03P8ZTAG的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供NTTFS015P03P8ZTAG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTTFS015P03P8ZTAG的详细使用方法及教程。

NTTFS015P03P8ZTAG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTTFS015P03P8ZTAG
描述	MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
制造商	onsemi
库存	2406
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	13.4A（Ta），47.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	9.3 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	62.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2706 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.66W（Ta），33.8W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerWDFN

NTTFS015P03P8ZTAG

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