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FDMA6676PZ

制造商：onsemi

封装外壳：6-PowerWDFN

描述：MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET

8778 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDMA6676PZ，现有足量库存。FDMA6676PZ的封装/规格参数为:6-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供FDMA6676PZ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDMA6676PZ的详细使用方法及教程。

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FDMA6676PZ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDMA6676PZ
描述 MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
制造商 onsemi
库存 8778
系列 PowerTrench®
包装 剪切带（CT） , Digi-Reel® 得捷定制卷带
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 13.5 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 46 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2160 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.4W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-MicroFET（2x2）
封装/外壳 6-PowerWDFN

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