DMTH43M8LFGQ-13规格参数_dmth43m8lfgq-13现货热销【斯普仑】

DMTH43M8LFGQ-13

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 40V PWRDI3333

3134 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMTH43M8LFGQ-13，现有足量库存。DMTH43M8LFGQ-13的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供DMTH43M8LFGQ-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMTH43M8LFGQ-13的详细使用方法及教程。

DMTH43M8LFGQ-13产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMTH43M8LFGQ-13
描述	MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
制造商	Diodes Incorporated
库存	3134
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	24A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	40.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2798 pF @ 20 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.62W（Ta），65.2W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerDI3333-8
封装/外壳	8-PowerVDFN

DMTH43M8LFGQ-13

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