AONS21303C规格参数_aons21303c现货热销【斯普仑】

AONS21303C

制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc.

封装外壳：8-PowerSMD，扁平引线

描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN

2960 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Alpha & Omega Semiconductor Inc.设计生产的AONS21303C，现有足量库存。AONS21303C的封装/规格参数为:8-PowerSMD，扁平引线；同时斯普仑现货为您提供AONS21303C数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有AONS21303C的详细使用方法及教程。

AONS21303C产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	AONS21303C
描述	MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
制造商	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存	2960
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	38A（Ta），70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	320 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	13240 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	6.2W（Ta），138W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFN（5x6）
封装/外壳	8-PowerSMD，扁平引线

AONS21303C

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