NVTFS4C06NTWG规格参数_nvtfs4c06ntwg现货热销【斯普仑】

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN

6500 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVTFS4C06NTWG，现有足量库存。NVTFS4C06NTWG的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供NVTFS4C06NTWG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVTFS4C06NTWG的详细使用方法及教程。

NVTFS4C06NTWG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NVTFS4C06NTWG
描述	MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
制造商	onsemi
库存	6500
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	21A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.2 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	26 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1683 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.1W（Ta），37W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerWDFN