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STL18N65M2

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV

2932 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STL18N65M2，现有足量库存。STL18N65M2的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供STL18N65M2数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STL18N65M2的详细使用方法及教程。

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STL18N65M2产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 STL18N65M2
描述 MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
制造商 STMicroelectronics
库存 2932
系列 MDmesh™ M2
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 365 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 21.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 764 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 57W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerFlat™（5x6）HV
封装/外壳 8-PowerVDFN

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