欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 400-900-8690
制造商：Panjit International Inc.
封装外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片
描述：650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
斯普仑电子元件现货为您提供Panjit International Inc.设计生产的PJMF210N65EC_T0_00601，现有足量库存。PJMF210N65EC_T0_00601的封装/规格参数为:TO-220-3 全封装，隔离接片；同时斯普仑现货为您提供PJMF210N65EC_T0_00601数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PJMF210N65EC_T0_00601的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Panjit International Inc.设计生产的PJMF210N65EC_T0_00601，现有足量库存。PJMF210N65EC_T0_00601的封装/规格参数为:TO-220-3 全封装，隔离接片；同时斯普仑现货为您提供PJMF210N65EC_T0_00601数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PJMF210N65EC_T0_00601的详细使用方法及教程。
| PJMF210N65EC_T0_00601产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | PJMF210N65EC_T0_00601 |
| 描述 | 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI |
| 制造商 | Panjit International Inc. |
| 库存 | 2585 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 210 毫欧 @ 9.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 34 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1412 pF @ 400 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 32W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | ITO-220AB-F |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
_SOT226%20Pkg.jpg)
