NVMTSC1D3N08M7TXG规格参数_nvmtsc1d3n08m7txg现货热销【斯普仑】

NVMTSC1D3N08M7TXG

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 80V 46A/348A 8DFNW

9694 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVMTSC1D3N08M7TXG，现有足量库存。NVMTSC1D3N08M7TXG的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供NVMTSC1D3N08M7TXG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVMTSC1D3N08M7TXG的详细使用方法及教程。

NVMTSC1D3N08M7TXG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NVMTSC1D3N08M7TXG
描述	MOSFET N-CH 80V 46A/348A 8DFNW
制造商	onsemi
库存	9694
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	46A（Ta），348A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.25 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	196 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	14530 pF @ 40 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	5.1W（Ta），287W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFNW（8.3x8.4）
封装/外壳	8-PowerTDFN

NVMTSC1D3N08M7TXG

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