NVMTS1D2N08H规格参数_nvmts1d2n08h现货热销【斯普仑】

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW

3497 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVMTS1D2N08H，现有足量库存。NVMTS1D2N08H的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供NVMTS1D2N08H数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVMTS1D2N08H的详细使用方法及教程。

NVMTS1D2N08H产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NVMTS1D2N08H
描述	MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
制造商	onsemi
库存	3497
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	43.5A（Ta），337A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.1 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 590µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	147 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	10100 pF @ 40 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	5W（Ta），300W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFNW（8.3x8.4）
封装/外壳	8-PowerTDFN