R6530KNX3C16规格参数_r6530knx3c16现货热销【斯普仑】

R6530KNX3C16

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB

8837 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的R6530KNX3C16，现有足量库存。R6530KNX3C16的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供R6530KNX3C16数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有R6530KNX3C16的详细使用方法及教程。

R6530KNX3C16产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	R6530KNX3C16
描述	MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB
制造商	Rohm Semiconductor
库存	8837
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	140 毫欧 @ 14.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 960µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2350 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	307W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3

R6530KNX3C16

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