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2N6660

制造商：Solid State Inc.

封装外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐

描述：MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39

3648 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Solid State Inc.设计生产的2N6660，现有足量库存。2N6660的封装/规格参数为:TO-205AD，TO-39-3 金属罐；同时斯普仑现货为您提供2N6660数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2N6660的详细使用方法及教程。

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2N6660产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 2N6660
描述 MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
制造商 Solid State Inc.
库存 3648
系列 -
包装 盒
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） -
Vgs（最大值） ±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 50 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 6.25W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-39
封装/外壳 TO-205AD，TO-39-3 金属罐

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