NTMTS0D7N06CLTXG规格参数_ntmts0d7n06cltxg现货热销【斯普仑】

NTMTS0D7N06CLTXG

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW

3531 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMTS0D7N06CLTXG，现有足量库存。NTMTS0D7N06CLTXG的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供NTMTS0D7N06CLTXG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTMTS0D7N06CLTXG的详细使用方法及教程。

NTMTS0D7N06CLTXG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTMTS0D7N06CLTXG
描述	MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
制造商	onsemi
库存	3531
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	62.2A（Ta），477A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	0.68 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	225 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	16200 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	5W（Ta），294.6W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFNW（8.3x8.4）
封装/外壳	8-PowerTDFN

NTMTS0D7N06CLTXG

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