APT6029BLLG规格参数_apt6029bllg现货热销【斯普仑】

APT6029BLLG

制造商：Microchip Technology

封装外壳：TO-247-3

描述：MOSFET N-CH 600V 21A TO247

8590 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的APT6029BLLG，现有足量库存。APT6029BLLG的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供APT6029BLLG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有APT6029BLLG的详细使用方法及教程。

APT6029BLLG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	APT6029BLLG
描述	MOSFET N-CH 600V 21A TO247
制造商	Microchip Technology
库存	8590
系列	POWER MOS 7®
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	290 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2615 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	300W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247 [B]
封装/外壳	TO-247-3

APT6029BLLG

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