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TP65H050G4BS

制造商:Transphorm

封装外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

描述:650 V 34 A GAN FET

5006 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Transphorm设计生产的TP65H050G4BS,现有足量库存。TP65H050G4BS的封装/规格参数为:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;同时斯普仑现货为您提供TP65H050G4BS数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TP65H050G4BS的详细使用方法及教程。

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TP65H050G4BS产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 TP65H050G4BS
描述 650 V 34 A GAN FET
制造商 Transphorm
库存 5006
系列 SuperGaN®
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 34A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 22A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.8V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 24 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1000 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 119W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-263
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

为智能时代加速到来而付出“真芯”