SCTH40N120G2V-7规格参数_scth40n120g2v-7现货热销【斯普仑】

SCTH40N120G2V-7

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：-

描述：SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

6825 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的SCTH40N120G2V-7，现有足量库存。SCTH40N120G2V-7的封装/规格参数为:-；同时斯普仑现货为您提供SCTH40N120G2V-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SCTH40N120G2V-7的详细使用方法及教程。

SCTH40N120G2V-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SCTH40N120G2V-7
描述	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
制造商	STMicroelectronics
库存	6825
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	100 欧姆 @ 20A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.9V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	61 nC @ 18 V
Vgs（最大值）	+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1233 pF @ 800 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	238W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	H2PAK-7
封装/外壳	-

SCTH40N120G2V-7

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