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IXFH80N65X2-4

制造商：IXYS

封装外壳：TO-247-4

描述：MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L

7768 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXFH80N65X2-4，现有足量库存。IXFH80N65X2-4的封装/规格参数为:TO-247-4；同时斯普仑现货为您提供IXFH80N65X2-4数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXFH80N65X2-4的详细使用方法及教程。

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IXFH80N65X2-4产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IXFH80N65X2-4
描述 MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L
制造商 IXYS
库存 7768
系列 HiPerFET™, Ultra X2
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 38 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 140 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 8300 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 890W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-4L
封装/外壳 TO-247-4

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