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SCTW40N120G2V

制造商:STMicroelectronics

封装外壳:TO-247-3

描述:SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

3814 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的SCTW40N120G2V,现有足量库存。SCTW40N120G2V的封装/规格参数为:TO-247-3;同时斯普仑现货为您提供SCTW40N120G2V数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SCTW40N120G2V的详细使用方法及教程。

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SCTW40N120G2V产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 SCTW40N120G2V
描述 SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
制造商 STMicroelectronics
库存 3814
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 100 欧姆 @ 20A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 61 nC @ 18 V
Vgs(最大值) +22V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1233 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 278W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 200°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 HiP247™
封装/外壳 TO-247-3

为智能时代加速到来而付出“真芯”