IPDQ60R010S7XTMA1规格参数_ipdq60r010s7xtma1现货热销【斯普仑】

IPDQ60R010S7XTMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：22-PowerBSOP 模块

描述：HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

4297 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPDQ60R010S7XTMA1，现有足量库存。IPDQ60R010S7XTMA1的封装/规格参数为:22-PowerBSOP 模块；同时斯普仑现货为您提供IPDQ60R010S7XTMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPDQ60R010S7XTMA1的详细使用方法及教程。

IPDQ60R010S7XTMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPDQ60R010S7XTMA1
描述	HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
制造商	Infineon Technologies
库存	4297
系列	CoolMOS™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	10 毫欧 @ 50A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 3.08mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	318 nC @ 12 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	11987 pF @ 300 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	694W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-HDSOP-22-1
封装/外壳	22-PowerBSOP 模块

IPDQ60R010S7XTMA1

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