SCTL90N65G2V规格参数_sctl90n65g2v现货热销【斯普仑】

SCTL90N65G2V

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

9506 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的SCTL90N65G2V，现有足量库存。SCTL90N65G2V的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供SCTL90N65G2V数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SCTL90N65G2V的详细使用方法及教程。

SCTL90N65G2V产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SCTL90N65G2V
描述	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
制造商	STMicroelectronics
库存	9506
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	24 欧姆 @ 40A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	157 nC @ 18 V
Vgs（最大值）	+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3380 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	935W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerFlat™（8x8）HV
封装/外壳	8-PowerVDFN

SCTL90N65G2V

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