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BSM600C12P3G201

制造商:Rohm Semiconductor

封装外壳:模块

描述:SICFET N-CH 1200V 600A MODULE

3576 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的BSM600C12P3G201,现有足量库存。BSM600C12P3G201的封装/规格参数为:模块;同时斯普仑现货为您提供BSM600C12P3G201数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有BSM600C12P3G201的详细使用方法及教程。

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BSM600C12P3G201产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 BSM600C12P3G201
描述 SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
制造商 Rohm Semiconductor
库存 3576
系列 -
包装 托盘
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 600A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 182mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
Vgs(最大值) +22V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 28000 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2460W(Tc)
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 模块
封装/外壳 模块

为智能时代加速到来而付出“真芯”