DMN65D8LT-13规格参数_dmn65d8lt-13现货热销【斯普仑】

DMN65D8LT-13

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：SOT-523

描述：MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R

3105 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMN65D8LT-13，现有足量库存。DMN65D8LT-13的封装/规格参数为:SOT-523；同时斯普仑现货为您提供DMN65D8LT-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMN65D8LT-13的详细使用方法及教程。

DMN65D8LT-13产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMN65D8LT-13
描述	MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
制造商	Diodes Incorporated
库存	3105
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	210mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	5 欧姆 @ 115mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	0.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	24 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	300mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-523
封装/外壳	SOT-523

DMN65D8LT-13

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