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DMP31D7LFBQ-7B

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：3-UFDFN

描述：MOSFET BVDSS: 25V~30V X1-DFN1006

1503 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP31D7LFBQ-7B，现有足量库存。DMP31D7LFBQ-7B的封装/规格参数为:3-UFDFN；同时斯普仑现货为您提供DMP31D7LFBQ-7B数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMP31D7LFBQ-7B的详细使用方法及教程。

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DMP31D7LFBQ-7B产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 DMP31D7LFBQ-7B
描述 MOSFET BVDSS: 25V~30V X1-DFN1006
制造商 Diodes Incorporated
库存 1503
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带（TR）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 810mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 900mOhm @ 420mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 0.36 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 19 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 530mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 X1-DFN1006-3
封装/外壳 3-UFDFN

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