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DMP510DLQ-13

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R

1788 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP510DLQ-13，现有足量库存。DMP510DLQ-13的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供DMP510DLQ-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMP510DLQ-13的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP510DLQ-13，现有足量库存。DMP510DLQ-13的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供DMP510DLQ-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMP510DLQ-13的详细使用方法及教程。

DMP510DLQ-13产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 DMP510DLQ-13
描述 MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
制造商 Diodes Incorporated
库存 1788
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带（TR）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 196mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 9.5 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 0.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 40 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 520mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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