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PMH600UNEH

制造商:Nexperia USA Inc.

封装外壳:3-XFDFN

描述:MOSFET N-CH 20V 800MA DFN0606-3

1059 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PMH600UNEH,现有足量库存。PMH600UNEH的封装/规格参数为:3-XFDFN;同时斯普仑现货为您提供PMH600UNEH数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有PMH600UNEH的详细使用方法及教程。

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PMH600UNEH产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 PMH600UNEH
描述 MOSFET N-CH 20V 800MA DFN0606-3
制造商 Nexperia USA Inc.
库存 1059
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 800mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 620 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 0.95V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.31 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 21.3 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 370mW(Ta),2.2W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DFN0606-3
封装/外壳 3-XFDFN

为智能时代加速到来而付出“真芯”