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DMN67D8LV-13

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：-

描述：MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R

5677 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMN67D8LV-13，现有足量库存。DMN67D8LV-13的封装/规格参数为:-；同时斯普仑现货为您提供DMN67D8LV-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMN67D8LV-13的详细使用方法及教程。

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DMN67D8LV-13产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 DMN67D8LV-13
描述 MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
制造商 Diodes Incorporated
库存 5677
系列 *
包装 卷带（TR）
FET 类型 -
技术 -
漏源电压（Vdss） -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) -
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） -
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） -
Vgs（最大值） -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） -
FET 功能 -
功率耗散（最大值） -
工作温度 -
安装类型 -
供应商器件封装 -
封装/外壳 -

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