SSM5N15FE(TE85L,F)规格参数_ssm5n15fe(te85l,f)现货热销【斯普仑】

SSM5N15FE(TE85L,F)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：SOT-553

描述：MOSFET N-CH 30V 100MA ESV

3670 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的SSM5N15FE(TE85L,F)，现有足量库存。SSM5N15FE(TE85L,F)的封装/规格参数为:SOT-553；同时斯普仑现货为您提供SSM5N15FE(TE85L,F)数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SSM5N15FE(TE85L,F)的详细使用方法及教程。

SSM5N15FE(TE85L,F)产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SSM5N15FE(TE85L,F)
描述	MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	3670
系列	π-MOSVI
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7.8 pF @ 3 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	150mW（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	ESV
封装/外壳	SOT-553

SSM5N15FE(TE85L,F)

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