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DMP21D0UFB4-7R

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：3-XFDFN

描述：MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-

8233 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP21D0UFB4-7R，现有足量库存。DMP21D0UFB4-7R的封装/规格参数为:3-XFDFN；同时斯普仑现货为您提供DMP21D0UFB4-7R数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMP21D0UFB4-7R的详细使用方法及教程。

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DMP21D0UFB4-7R产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 DMP21D0UFB4-7R
描述 MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
制造商 Diodes Incorporated
库存 8233
系列 -
包装 卷带（TR）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 770mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 495 毫欧 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 1.5 nC @ 8 V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 76.5 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 430mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 X2-DFN1006-3
封装/外壳 3-XFDFN

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