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DMN21D2UFB-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：3-UFDFN

描述：MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-

6630 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMN21D2UFB-7，现有足量库存。DMN21D2UFB-7的封装/规格参数为:3-UFDFN；同时斯普仑现货为您提供DMN21D2UFB-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMN21D2UFB-7的详细使用方法及教程。

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DMN21D2UFB-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 DMN21D2UFB-7
描述 MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
制造商 Diodes Incorporated
库存 6630
系列 -
包装 卷带（TR）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 760mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 990 毫欧 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 0.93 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 27.6 pF @ 16 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 380mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 X1-DFN1006-3
封装/外壳 3-UFDFN

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