PMV30UN2VL规格参数_pmv30un2vl现货热销【斯普仑】

PMV30UN2VL

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB

7726 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PMV30UN2VL，现有足量库存。PMV30UN2VL的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供PMV30UN2VL数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PMV30UN2VL的详细使用方法及教程。

PMV30UN2VL产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PMV30UN2VL
描述	MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB
制造商	Nexperia USA Inc.
库存	7726
系列	TrenchMOS™
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	5.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	32 毫欧 @ 4.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	11 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	655 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	490mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-236AB
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

PMV30UN2VL

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