DMN30H4D0LFDE-13规格参数_dmn30h4d0lfde-13现货热销【斯普仑】

DMN30H4D0LFDE-13

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：6-PowerUDFN

描述：MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN

5014 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMN30H4D0LFDE-13，现有足量库存。DMN30H4D0LFDE-13的封装/规格参数为:6-PowerUDFN；同时斯普仑现货为您提供DMN30H4D0LFDE-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMN30H4D0LFDE-13的详细使用方法及教程。

DMN30H4D0LFDE-13产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMN30H4D0LFDE-13
描述	MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
制造商	Diodes Incorporated
库存	5014
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	550mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	7.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	187.3 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	630mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳	6-PowerUDFN

DMN30H4D0LFDE-13

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