RW1E025RPT2CR规格参数_rw1e025rpt2cr现货热销【斯普仑】

RW1E025RPT2CR

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：6-SMD，扁平引线

描述：MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT

3726 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RW1E025RPT2CR，现有足量库存。RW1E025RPT2CR的封装/规格参数为:6-SMD，扁平引线；同时斯普仑现货为您提供RW1E025RPT2CR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RW1E025RPT2CR的详细使用方法及教程。

RW1E025RPT2CR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RW1E025RPT2CR
描述	MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
制造商	Rohm Semiconductor
库存	3726
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	75 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	5.2 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	480 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	700mW（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-WEMT
封装/外壳	6-SMD，扁平引线

RW1E025RPT2CR

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